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2003-11-06 页 10 SPW47N60C3 21 典型值 capacitances C = f ( V DS ) 参数: V GS =0v, f =1 mhz 0 100 200 300 400 V 600 V DS 1 10 2 10 3 10 4 10 5 10 pF C Ciss Coss Crss 22 典型值 C oss 贮存活力 E oss = f ( V DS ) 0 100 200 300 400 V 600 V DS 0 5 10 15 20 µJ 30 E oss 23 典型值门门槛电压 V gs(th) = f ( T j ) 参数: V GS = V DS ; I D = 2.7 毫安 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 °C 175 T j 1.25 1.75 2.25 2.75 3.25 V 4.25 V gs(th) 最大值典型值最小值

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