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资料编号:621007
 
资料名称:SPW17N80C3
 
文件大小: 257.62K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-03rev. 2.1
页 6
SPW17N80C3
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0 5 10 15 20
V
DS
30
V
0
5
10
15
20
25
一个
35
I
D
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
6.5v
20V
10V
8V
7V
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0 5 10 15 20 25
一个
35
I
D
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.5
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
6.5v
7V
8V
10V
20V
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 11 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.6
SPW17N80C3
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0 2 4 6 8 10 12 14 16
V
20
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
一个
65
I
D
25°C
150°C
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