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资料编号:621012
 
资料名称:SPW47N60C2
 
文件大小: 121.31K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-10-07
页 2
SPW47N60C2
最终 数据
热的 特性
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 0.3 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62
直线的 减额 因素
- - 3.33
w/k
焊接 温度,
1.6 mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s
T
出售
- - 260 °C
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v,
I
D
=0.25ma
V
(br)dss
600 - - V
流-源 avalanche 损坏 电压
V
GS
=0v,
I
D
=20A
V
(br)ds
- 700 -
门 门槛 电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=2.7ma
V
gs(th)
3.5 4.5 5.5
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 600 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 600 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 150 °c
I
DSS
-
-
0.5
-
25
250
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
=20v,
V
DS
=0V
I
GSS
- - 100 nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=10v,
I
D
=30a,
T
j
=25°C
R
ds(在)
- 0.06 0.07
门 输入 阻抗
f
= 1 mhz, 打开 流
R
G
- 0.62 -
1
repetitve avalanche 导致 额外的 电源 losses 那 能 是 计算 作
P
AV
=
E
AR
*
f
.
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