s1c 1 消逝 id &放大; gm vs vg
0.01
0.10
1.00
10.00
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
vgs 在 伏特
id 在 放大器; gm 在 mhos
Id
gM
s1c 1 消逝 电容
1
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
vds 在 伏特
Coss
Ciss
Crss
sq721 pout vs 管脚 freq=400mhz, vds=12.5v, idq=.4a
0
5
10
15
20
25
30
35
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
管脚 在 watts
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
Pout
增益
效率 = 60%
polyfet rf 设备
pout vs 管脚 图表
电容 vs 电压
id &放大; gm vs vgsiv 曲线
zin zout 包装 维度 在 英寸
SQ721
s1c 1 消逝 iv
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vds 在 伏特
id 在 放大器
vg=2v Vg=4v Vg=6v vg=8v 0 vg=12v
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax: (805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订 03/28/2001
容忍 .xx +/-0.01 .xxx +/-.005 英寸