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资料编号:623464
 
资料名称:SSH10N60A
 
文件大小: 243.68K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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n-频道
电源 场效应晶体管
电的 特性
(t
C
=25 除非 否则 指定)
流-源 损坏 电压
损坏 电压 温度 coeff.
门 门槛 电压
门-源 泄漏 , 向前
门-源 泄漏 , 反转
典型的标识
最大值 单位典型值最小值 测试 情况
静态的 流-源
在-状态 阻抗
向前 跨导
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
总的 门 承担
门-源 承担
门-流( Miller) 承担
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
BV
DSS
bv/ T
J
V
gs(th)
R
ds(在)
I
GSS
I
DSS
V
v/
V
nA
一个
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0v,i
D
=250 一个
I
D
=250 一个
看 图 7
V
DS
=5v,i
D
=250 一个
V
GS
=30V
V
GS
=-30v
V
DS
=600V
V
DS
=480v,t
C
=125
V
GS
=10v,i
D
=5A
V
DS
=50v,i
D
=5A
V
DD
=300v,i
D
=10a,
R
G
=6.2
看 图 13
V
DS
=480v,v
GS
=10v,
I
D
=10A
看 图 6 &放大; 图 12
流-至-源 泄漏 电流
V
GS
=0v,v
DS
=25v,f =1mhz
看 图 5
源-流 二极管 比率 和 特性
持续的 源 电流
搏动-源 电流
二极管 向前 电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
典型的标识 最大值 单位典型值最小值 测试 情况
--
--
--
--
--
一个
V
ns
C
integral 反转 pn-二极管
在 这 场效应晶体管
T
J
=25 ,i
S
=10a,v
GS
=0V
T
J
=25 ,i
F
=10A
di
F
/dt=100a/ s
SSH10N60A
600
--
2.0
--
--
--
--
--
0.66
--
--
--
--
--
190
78
20
23
85
30
74
12
35.4
--
--
4.0
100
-100
25
250
0.8
--
2270
220
90
50
55
180
70
95
--
--
8.5
1750
--
--
--
440
4.7
10
40
1.4
--
--
注释 ;
repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
l=10mh, i
=10a, v
DD
=50v, r
G
=27 , 开始 t
J
=25
I
SD
10a, di/dt 150a/ s, v
DD
BV
DSS
, 开始 t
J
=25
脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度 = 250 s, 职责 循环 2%
essentially 独立 的 运行 温度
o
C
µ
µ
o
C
o
C
µ
o
C
o
C
µ
µ
µ
O
4
O
4
O
4
O
4
O
5
O
5
O
4
O
1
O
4
o
C
o
C
µ
<
_
<
_
<
_
µ
<
_
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
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