rev. 0
SSM2019
–3–
绝对 最大 比率
1
供应 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
19 v
输入 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 供应 电压
输出 短的 电路 持续时间 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 秒
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
∞
c 至 +150
∞
C
接合面 温度 (t
J
) .. . . . . . . . . . . . –65
∞
c 至 +150
∞
C
含铅的 温度 范围 (焊接, 60 秒) . . . . . . . . 300
∞
C
运行 温度 范围 . . . . . . . . . . . –40
∞
c 至 +85
∞
C
热的 阻抗
2
8-含铅的 pdip (n) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
JA
= 96
∞
c/w
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
JC
= 37
∞
c/w
16-含铅的 soic (rw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
JA
= 92
∞
c/w
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
JC
= 27
∞
c/w
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
部分 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
2
q
JA
是 指定 为 worst-情况 挂载 情况, i.e.,
q
JA
是 指定 为 设备
在 插座 为 pdip;
q
JA
是 指定 为 设备 焊接 至 打印 电路 板 为
soic 包装.
频率 – hz
thd + n – %
0.0001
10
0.001
0.01
0.1
20 100 1k 10k 20k
15V V
S
18V
7Vrms
V
O
10Vrms
R
L
600
bw = 80khz
g = 10
g = 1000
g = 100
g = 1
tpc 1. 典型 thd + 噪音 vs. 增益
频率 – hz
rti, 电压 噪音 密度 – nv/
Hz
0.1
110100 1k 10k
1
10
100
T
一个
= 25
C
V
S
=
15V
g = 1000
tpc 2. 电压 噪音 密度 vs. 频率
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然
这 ssm2019 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在
设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是
推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
Typical 效能 特性
订货 手册
温度 包装 包装
模型 范围 描述 选项
SSM2019BN –40
∞
c 至 +85
∞
c8-lead pdip n-8
SSM2019BRW –40
∞
c 至 +85
∞
C 16-含铅的 soic rw-16
SSM2019BRWRL –40
∞
c 至 +85
∞
C 16-含铅的 soic, 卷轴 rw-16
SSM2019BRN
*
–40
∞
c 至 +85
∞
C8-含铅的 soic rn-8
SSM2019BRNRL
*
–40
∞
c 至 +85
∞
C8-含铅的 soic, 卷轴 rn-8
*
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