SSM2211
rev. 0
–3–
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然
这 ssm2211 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在
设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是
推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
绝对 最大 比率
1,2
供应 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6 v
输入 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DD
一般 模式 输入 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DD
静电释放 susceptibility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000 v
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . .
65
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 范围 . . . . . . . . . . .
20
°
c 至 +85
°
C
接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . .
65
°
c 至 +165
°
C
含铅的 温度 范围 (焊接, 60 秒) . . . . . . .
300
°
C
注释
1
绝对 最大 比率 应用 在 +25
°
c, 除非 否则 指出.
2
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的;这 函数的 运作 的
这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 operational
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
包装 类型
JA
1
JC
单位
8-含铅的 soic (s) 98 43
°
c/w
8-含铅的 pdip (p)
2
103 43
°
c/w
注释
1
为 这 soic 包装,
θ
JA
是 量过的 和 这 设备 焊接 至 一个 4-layer
打印 电路 板.
2
特定的 顺序 仅有的.
频率 – hz
thd + n – %
10
1
0.01
20 100 20k
1k 10k
0.1
T
一个
=
25
C
V
DD
= 5v
一个
VD
= 2 (btl)
R
L
= 8
P
L
= 500mw
C
B
= 0
C
B
= 0.1
F
C
B
= 1
F
图示 1. thd+n vs. 频率
频率 – hz
thd + n – %
10
1
0.01
20 100 20k
1k 10k
0.1
T
一个
=
25
C
V
DD
= 5v
一个
VD
= 10 (btl)
R
L
= 8
P
L
= 500mw
C
B
= 0
C
B
= 0.1
F
C
B
= 1
F
图示 2. thd+n vs. 频率
频率 – hz
thd + n – %
10
1
0.01
20 100 20k
1k 10k
0.1
T
一个
=
25
C
V
DD
= 5v
一个
VD
= 20 (btl)
R
L
= 8
P
L
= 500mw
C
B
= 0.1
F
C
B
= 1
F
图示 3. thd+n vs. 频率
订货 手册
温度 包装 包装
模型 范围 描述 选项
SSM2211S –20
°
c 至 +85
°
C 8-含铅的 soic 所以-8
ssm2211s-卷轴 –20
°
c 至 +85
°
C 8-含铅的 soic 所以-8
ssm2211s-reel7 –20
°
c 至 +85
°
C 8-含铅的 soic 所以-8
SSM2211P –20
°
c 至 +85
°
C 8-含铅的 pdip n-8
*
*
特定的 顺序 仅有的.
管脚 配置
8-含铅的 soic
(所以-8)
1
2
3
4
8
7
6
5
顶 视图
(不 至 规模)
关闭
V
输出
一个
+V
–V
V
输出
B
绕过
+IN
–IN
8-含铅的 塑料 插件
(n-8)
1
2
3
4
8
7
6
5
顶 视图
(不 至 规模)
关闭
V
输出
一个
+V
–V
V
输出
B
绕过
+IN
–IN
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静电释放 敏感的 设备
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