数据 薄板
4 mbit superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040a / sst28vf040a
11
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71077-04-000 6/01 310
表格 13: E
RASE
/p
ROGRAM
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
IEEE
标识
工业
标识 参数
SST28SF040A SST28VF040A
单位最小值 最大值 最小值 最大值
tAVA T
BP
字节-程序 循环 时间 40 40 µs
tWLWH T
WP
写 脉冲波 宽度 (we#) 90 100 ns
tAVWL T
作
地址 建制 时间 10 10 ns
tWLAX T
AH
地址 支撑 时间 50 100 ns
tELWL T
CS
ce# 建制 时间 0 0 ns
tWHEX T
CH
ce# 支撑 时间 0 0 ns
tGHWL T
OES
oe# 高 建制 时间 10 20 ns
tWGL T
OEH
oe# 高 支撑 时间 10 20 ns
tWLEH T
CP
写 脉冲波 宽度 (ce#) 90 100 ns
tDVWH T
DS
数据 建制 时间 50 100 ns
tWHDX T
DH
数据 支撑 时间 10 20 ns
tWHWL2 T
SE
sector-擦掉 循环 时间 4 4 ms
T
RST
1
重置 command 恢复 时间 4 4 µs
tWHWL3 T
SCE
软件 碎片-擦掉 循环 时间 20 20 ms
tEHEL T
CPH
ce# 高 脉冲波 宽度 50 50 ns
tWHWL1 T
WPH
we# 高 脉冲波 宽度 50 50 ns
T
PCP
1
保护 ce# 或者 oe# 脉冲波 宽度 50 50 ns
T
PCH
1
保护 ce# 或者 oe# 高 时间 50 50 ns
T
PAS
1
保护 地址 建制 时间 40 40 ns
T
PAH
1
保护 地址 支撑 时间 0 0 ns
t13.6 310
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
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