rev. c, 将 2002
ssr1n50b / ssu1n50b
©2002 仙童 半导体 公司
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
注释:
1. repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
2. l = 106mh, i
作
= 1.5a, v
DD
= 50v, r
G
= 25
Ω,
开始 t
J
= 25°c
3. i
SD
≤
1.5a, di/dt
≤
300a/
µ
s, v
DD
≤
BV
dss,
开始 t
J
= 25°c
4. 脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
5. essentially 独立 的 运行 温度
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个
520 -- -- V
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25°c
-- 0.54 -- v/°c
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 520 v, v
GS
= 0 v
-- -- 10
µ
一个
V
DS
= 400 v, t
C
= 125°c
-- -- 100
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流, 向前
V
GS
= 30 v, v
DS
= 0 v
-- -- 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流, 反转
V
GS
= -30 v, v
DS
= 0 v
-- -- -100 nA
在 特性
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
2.0 -- 4.0 V
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.65 一个
-- 4.1 5.3
Ω
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 40 v, i
D
= 0.65 一个
-- 1.65 -- S
动态 特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
-- 260 340 pF
C
oss
输出 电容 -- 25 33 pF
C
rss
反转 转移 电容 -- 5.5 7.2 pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 250 v, i
D
= 1.5 一个,
R
G
= 25
Ω
-- 14 40 ns
t
r
转变-在 上升 时间 -- 40 90 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 35 80 ns
t
f
转变-止 下降 时间 -- 35 80 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 400 v, i
D
= 1.5 一个,
V
GS
= 10 v
-- 8.3 11 nC
Q
gs
门-源 承担 -- 1.5 -- nC
Q
gd
门-流 承担 -- 3.4 -- nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 -- -- 1.3 一个
I
SM
最大 搏动 流-源 二极管 向前 电流 -- -- 5.0 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压
V
GS
= 0 v, i
S
= 1.3 一个
-- -- 1.4 V
t
rr
反转 恢复 时间
V
GS
= 0 v, i
S
= 1.5 一个,
dI
F
/ dt = 100 一个/
µ
s
-- 230 -- ns
Q
rr
反转 恢复 承担 -- 0.94 --
µ
C
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