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初步的 数据
六月 2003
STD7NS20
std7ns20-1
n-频道 200V - 0.35
Ω
- 7A DPAK / IPAK
MESH OVERLAY™ 场效应晶体管
■
典型 R
DS
(在) = 0.35
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
增加 后缀 “T4” 为 订货 在 录音带 &放大;
卷轴
描述
使用 这 最新的 高 电压 MESH OVERLAY™
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 MOSFETs 和 优秀的
效能. 这 新 专利的 STrip 布局 cou-
pled 和 这 Company’s 专卖的 边缘 termina-
tion 结构, 制造 它 合适的 在 coverters 为
lighting 产品.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
SWITH 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-直流 转换器 为 电信,
工业的, 和 LIGHTING 设备
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STD7NS20
std7ns20-1
200 V
200 V
< 0.40
Ω
< 0.40
Ω
7A
7A
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
200 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
200 V
V
GS
门- 源 电压 ± 20 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 T
C
= 25°C
7A
I
D
流 电流 (continuos) 在 T
C
= 100°C
4.4 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 28 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
45 W
减额 因素 0.37 w/°c
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 5 v/ns
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
(1) I
SD
≤
7a, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
jMAX
内部的 图式 图解
1
3
至-252
DPAK
3
2
1
IPAK
至-251
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