首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:626180
 
资料名称:STD3NC50
 
文件大小: 55.94K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号STD3NC50的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号STD3NC50的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号STD3NC50的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号STD3NC50的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号STD3NC50的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号STD3NC50的Datasheet PDF文件第7页
7
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
热的 数据
R
thj-情况
Rthj-amb
R
thc-下沉
T
l
热的 阻抗 接合面-case 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
热的 阻抗 情况-下沉 典型值
最大 含铅的 Temature 焊接 Purpose
2.0
100
1.5
275
o
c/w
oc/w
o
c/w
o
C
AVALANCHE 特性
Symbol Parameter 最大值 Value 单位
I
AR
Avalanche 电流, Repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 T
j
最大值)
3A
E
单独的 脉冲波 Avalanche 活力
(开始 T
j
=25
o
c, I
D
=I
AR
,v
DD
=50v)
40 mJ
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-source
损坏 电压
I
D
=250
µ
AV
GS
=0
500 V
I
DSS
Zero Gate Volt一个ge
Current (v
GS
=0)
V
DS
=MaxRating
V
DS
= 毫安x Ra德州仪器ng T
c
=125
o
C
1
50
µ
一个
µ
一个
I
GSS
Gate-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
=
±
30 V
±
100 nA
(
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门槛
电压
V
DS
=V
GS
I
D
= 250
µ
一个
234V
R
ds(在)
静态的 流-源
Resistance
V
GS
=10V I
D
= 1.5 一个 2.4 2.7
I
d(on)
State 电流 V
DS
>i
d(on)
xR
Ds(on )毫安 x
V
GS
=10V
3A
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
)向前
Transconductance
V
DS
>i
d(on)
xR
Ds(on )毫安 x
I
D
=1.5a 2 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 Capacitance
反转 Transfer
电容
V
DS
=25V f=1MHz V
GS
=0 400
62
7.5
pF
pF
pF
STD3NC50
2/7
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com