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资料编号:626249
 
资料名称:STF6NK70Z
 
文件大小: 337.28K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
 
 


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stp6nk70z - stf6nk70z
(t
情况
=25
°
c 除非 否则 指定)
表格 7: 在 /止
表格 8: 动态
表格 9: 源 流 二极管
(1) 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
(2) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围.
(3) c
oss eq.
是 定义 作 一个 常量 相等的 电容 给 这 一样 charging 时间 作 c
oss
当 v
DS
增加 从 0 至 80% v
DSS
.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏
电压
I
D
= 1 毫安, v
GS
= 0 700 V
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率, t
C
= 125
°
C
1
50
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 v ± 10 µA
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 100 µa 3
3.75
4.5 V
R
ds(在
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 2.5 一个 1.5 1.8
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
= 15 v , i
D
= 2.5 一个 4.4 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
= 25 v, f = 1 mhz, v
GS
= 0 930
105
22
pF
pF
pF
C
oss eq
(3)
.
相等的 输出
电容
V
GS
= 0 v, v
DS
= 0 至 560 v 70 pF
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止-延迟 时间
下降 时间
V
DD
= 350 v, i
D
= 2.5 一个,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 v
(看 图示 17)
17
18
45
30
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
= 560 v, i
D
= 5 一个,
V
GS
= 10 v
(看 图示 20)
34
6.5
17
47 nC
nC
nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(2)
源-流 电流
源-流 电流 (搏动)
5
20
一个
一个
V
SD
(1)
向前 在 电压
I
SD
= 5 一个, v
GS
= 0
1.6 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 5 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
= 35v
(看 图示 18)
432
2.37
11
ns
µC
一个
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 5 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
= 35v, t
j
= 150
°
C
(看 图示 18)
588
3.38
11.5
ns
µC
一个
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