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资料编号:626250
 
资料名称:STF11NM80
 
文件大小: 582.11K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET
 
 


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STP11NM80 - STB11NM80 - STF11NM80 - STW11NM80
电的 特性
(持续)
动态
(1)搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
切换
切换
二极管
便条: 1. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
>i
d(在)
xR
ds(在)最大值,
I
D
= 7.5 一个
5S
C
iss
输入 电容
V
DS
=30v,f=1mhz,v
GS
=0
1900 pF
C
oss
输出 电容 1000 pF
C
rss
反转 转移
电容
18 pF
R
G
输入 阻抗 f=1 MHz 直流 偏差 = 0
测试 信号 水平的 = 20mV
打开
2
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
DD
=400v,i
D
= 5.5 一个
R
G
= 4.7
,v
GS
= 10V
(看 测试 电路, 图示 3)
27 ns
t
r
上升 时间 14 ns
Q
g
总的 承担
V
DD
=400v,i
D
=11a,
V
GS
=10V
40 58 nC
Q
gs
门-源 承担 10 nC
Q
gd
门-流 承担 24 nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
r(voff)
止-电压 上升 时间
V
DD
= 640 v, I
D
= 11a,
R
G
=4.7
Ω ,
V
GS
=10V
(看 测试 电路, 图示 5)
6ns
t
f
下降 时间 11 ns
t
c
交叉-在 时间 21 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
源-流 电流 11 一个
I
SDM
(2)
源-流 电流 (搏动) 44 一个
V
SD
(1)
向前 电压
I
SD
=11a,v
GS
=0
1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间
I
SD
= 11 一个, di/dt = 100a/µs,
V
DD
=100v,t
j
=150°C
(看 测试 电路, 图示 5)
496 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 6.5 µC
I
RRM
反转 恢复 电流 26 一个
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