1/9将 2003
STGW50NB60M
n-频道 50A - 600V
-至-247
PowerMESH™ IGBT
(
●
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
■
高 输入 阻抗 (电压 驱动)
■
低 在-电压 漏出 (v
CESAT
)
■
低 门 承担
■
高 电流 能力
描述
使用 这 最新的 高 电压 技术 为基础 在 一个
专利的 strip 布局, 意法半导体 有 de-
signed 一个 先进的 家族 的 igbts, 这 电源-
MESH
™
igbts, 和 优秀的 performances.
这 后缀 "m" identifies 一个 家族 优化 至
达到 非常 低 饱和 在 电压 为 频率
产品 <10 khz.
产品
■
发动机 控制
■
WELDING EQUIPMENTS
绝对 最大 比率
类型 V
CES
V
ce(sat)(25°c)
I
C
STGW50NB60M 600 V < 1.9
V50A
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 (v
GS
=0)
600 V
V
ECR
反转 电池 保护 20 V
V
GE
门-发射级 电压 ±20 V
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 T
C
=25°C
100 一个
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 T
C
=100°C
50 一个
I
CM
(
)
集电级 电流 (搏动) 400 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
250 W
减额 因素 2 w/°c
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
至-247
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内部的 图式 图解
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