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资料编号:626445
 
资料名称:STH15NA50FI
 
文件大小: 243.26K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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电的 特性
(持续)
切换
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
t
r
转变-在 Time
上升 时间
V
DD
=225V I
D
=7.5a
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(see test circuit, figure 3)
24
37
34
50
ns
ns
(di/dt)
转变-在 电流 斜度 V
DD
=400V I
D
=15A
R
G
=47
V
GS
=10V
(看 测试 电路, 图示 5)
225 一个/
µ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
门-source 承担
门-流 承担
V
DD
= 400 V I
D
=15A V
GS
=10V 110
15
55
140 nC
nC
nC
切换
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
r(voff)
t
f
t
c
止-电压 上升 Time
下降 时间
交叉-在 时间
V
DD
=400V I
D
=15A
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(see test circuit, figure 5)
25
17
45
35
24
60
ns
ns
ns
二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(
)
源-流 电流
源-流 电流
(搏动)
14.6
58.4
一个
一个
V
SD
(
) Forward Voltage I
SD
=15A V
GS
=0 1.6 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
时间
Reverse Recovery
承担
Reverse Recovery
电流
I
SD
= 15 一个 di/dt = 100 一个/
µ
s
V
DD
= 100 V T
j
=150
o
C
(see test circuit, figure 5)
640
12.8
40
ns
µ
C
一个
(
) 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
Safe 运行 Areas 至-218 至-247 Safe 运行 Areas ISOWATT218
sth15na50/fi - STW15NA50
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