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资料编号:627051
 
资料名称:STN1NK60Z
 
文件大小: 657.29K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
 
 


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std1lnk60z-1 - stq1nk60zr - stn1nk60z
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表格 3: 绝对 最大 比率
(
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
(1) i
SD
0.3a, di/dt
200a/µs, v
DD
V
(br)dss
, t
j
T
jmax.
表格 4: 热的 数据
(#) 当 挂载 在 1 inch² fr-4 板, 2 oz cu
表格 5: avalanche 特性
表格 6:门-源 齐纳 二极管
保护 特性 的 门-至-源 齐纳 二极管
这 建造-在 后面的-至-后面的 齐纳 二极管 有 specifically 被 设计 至 增强 不 仅有的 这 设备的
静电释放 能力, 但是 也 至 制造 它们 safely absorb 可能 电压 过往旅客 那 将 occasionally 是
应用 从 门 至 源. 在 这个 遵守 这 齐纳 电压 是 适合的 至 达到 一个 效率高的 和
费用-有效的 intervention 至 保护 这 设备的 integrity. 这些 整体的 齐纳 二极管 因此 避免 这
用法 的 外部 组件.
标识 参数 Value 单位
IPAK 至-92 sot-223
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
600 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
)
600 V
V
GS
门- 源 电压 ± 30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
0.8 0.3 0.3 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
0.5 0.189 0.189 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 3.2 1.2 1.2 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
25 3 3.3 W
减额 因素 0.24 0.025 0.026 w/°c
V
静电释放(g-s)
门 源 静电释放(hbm-c=100pf, r=1.5k
Ω)
800 V
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
T
j
T
stg
运行 接合面 温度
存储 温度
-55 至 150 °C
IPAK 至-92 sot-223
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 最大值 5 -- -- °c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 100 120 37.87(#) °c/w
rthj-含铅的 热的 阻抗 接合面-含铅的 最大值 -- 40 -- °c/w
T
l
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的
275 260 260 °C
标识 参数 最大值 值 单位
I
AR
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值)
0.8 一个
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(开始 t
j
= 25 °c, i
D
= i
AR
, v
DD
= 50 v)
60 mJ
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值. 最大值 单位
BV
GSO
门-源 损坏
电压
igs=± 1ma (打开 流) 30 V
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