STP24NF10
N - 频道 100V - 0.07
Ω
- 24A 至-220
低 门 承担 STripFET
电源 场效应晶体管
初步的 数据
■
典型 R
ds(在)
= 0.07
Ω
■
EXCEPTIONAL dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
应用 朝向
描绘
描述
这个 场效应晶体管 序列 认识到 和
意法半导体 唯一的 STripFET 处理 有
specifically 被 设计 至 降低 输入
电容 和 门 承担. 它 是 因此
合适的 作 primary 转变 在 先进的
高-效率, 高-频率 分开的 直流-直流
转换器 为 电信 和 计算机
产品. 它 是 也 将 为 任何
产品 和 低 门 驱动 (所需的)东西.
产品
■
高-效率 直流-直流 转换器
■
UPS 和 发动机 控制
内部的 图式 图解
April 2000
绝对 最大 比率
Symbol 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0) 100 V
V
DGR
Dra在- gate Voltage (r
GS
=20k
Ω
) 100 V
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 Current (持续的) 在 T
c
=25
o
C24A
I
D
流 Current (持续的) 在 T
c
= 100
o
C15A
I
DM
(
•
) 流 Current (搏动) 96 一个
P
tot
Total Dissipation 在 T
c
=25
o
C80W
减额 因素 0.53 W/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 slope 9 v/ns
E
作
(
2
) Single 脉冲波 Avalanche 活力 75 mJ
T
stg
存储 温度 -65 至 175
o
C
T
j
最大值 Operating 接合面 温度 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 ( 2) 开始 T
j
=25
o
c, I
D
=24A , V
DD
= 50V (1) I
SD
≤
24 一个, di/dt
≤
300a/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
JMA
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP24NF10 100 V < 0.077
Ω
24 一个
1
2
3
至-220
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