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资料编号:627206
 
资料名称:STP14NK50ZFP
 
文件大小: 673.16K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
stp14nk50z, stp14nk50zfp, stb14nk50z, stb14nk50z-1, STW14NK50Z
2/14
绝对 最大 比率
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
(1) I
SD
14a, di/dt
200a/µs, V
DD
V
(br)dss
,t
j
T
jmax.
(*) 限制 仅有的 最大 温度 允许
热的 数据
AVALANCHE 特性
门-源 齐纳 二极管
(#) 挂载 最小 Footprint
保护 特性 门-至-源 齐纳 二极管
建造-在 后面的-至-后面的 齐纳 二极管 specifically 设计 增强 仅有的 设备的
静电释放 能力, 但是 制造 它们 safely absorb 可能 电压 过往旅客 occasionally
应用 源. 这个 遵守 30V 齐纳 电压 适合的 达到 一个 效率高的
费用-有效的 intervention 保护 设备的 integrity. 这些 整体的 齐纳 二极管 因此 避免
用法 外部 组件.
标识 参数 单位
STP14NK50Z
stb14nk50z/-1
STP14NK50ZFP STW14NK50Z
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
500 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
)
500 V
V
GS
门- 电压 ± 30 V
I
D
电流 (持续的) T
C
= 25°C
14 14 (*) 14 一个
I
D
电流 (持续的) T
C
= 100°C
7.6 7.6 (*) 7.6 一个
I
DM
(
)
电流 (搏动) 48 48 (*) 48 一个
P
TOT
总的 消耗 T
C
= 25°C
150 35 150 W
减额 因素 1.20 0.28 1.20 w/°c
V
静电释放(g-s)
静电释放(hbm-c=100pf, r=1.5k
Ω)
4000 V
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流) - 2500 - V
T
j
T
stg
运行 接合面 温度
存储 温度
-55 150 °C
至-220
I
2
PAK
D
2
PAK
至-220fp 至-247
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 最大值 0.83 3.6 0.83 °c/w
rthj-pcb 热的 阻抗 接合面-pcb 最大值 (#) 60 °c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 62.5 50 °c/w
T
l
最大 含铅的 温度 焊接 目的
300 °C
标识 参数 最大值 单位
I
AR
Avalanche 电流, Repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 T
j
最大值)
12 一个
E
单独的 脉冲波 Avalanche 活力
(开始 T
j
= 25 °c, I
D
=I
AR
,v
DD
=50v)
400 mJ
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
GSO
门-源 损坏
电压
Igs=± 1mA (打开 流) 30 V
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