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资料编号:627226
 
资料名称:STP25NM60N
 
文件大小: 273.54K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
 
 


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stp25nm60n - stf25nm60n - stb25nm60n/-1 - stw25nm60n
电的 特性 (持续)
表格 7: 动态
表格 8: 源 流 二极管
(1) 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
(2) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围.
(3) c
oss eq.
是 定义 作 一个 常量 相等的 电容 给 这 一样 charging 时间 作 c
oss
当 v
DS
增加 从 0 至 80% v
DSS
.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
= 15v
,
I
D
= 10a 17 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
= 25 v, f = 1 mhz,
V
GS
= 0
2565
511
77
pF
pF
pF
C
oss eq
(3)
.
相等的 输出
电容
V
GS
= 0 v, v
DS
= 0 至 480 v TBD pF
R
G
门 输入 阻抗 f=1 mhz 门 直流 偏差 = 0
测试 信号 水平的 = 20mv
打开 流
2
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止-延迟 时间
下降 时间
V
DD
= 300 v, i
D
= 10 一个,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 v
(看 图示 4)
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
= 480 v, i
D
= 20 一个,
V
GS
= 10 v
(看 图示 7)
93
TBD
TBD
nC
nC
nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(2)
源-流 电流
源-流 电流 (搏动)
20
80
一个
一个
V
SD
(1)
向前 在 电压
I
SD
= 20 一个, v
GS
= 0
1.3 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 25 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
= 100v
(看 图示 5)
TBD
TBD
TBD
ns
µC
一个
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 25 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
= 100v, t
j
= 150
°
C
(看 图示 5)
TBD
TBD
TBD
ns
µC
一个
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