首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:627232
 
资料名称:STP10NK60ZFP
 
文件大小: 684.08K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号STP10NK60ZFP的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3/14
stp10nk60z-stp10nk60zfp, stb10nk60z, stb10nk60z-1, STW10NK60Z
电的 特性
(t
情况
=25°C 除非 否则 指定)
开关
动态
切换
切换
二极管
便条: 1. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围.
3. C
oss eq.
定义 一个 常量 相等的 电容 一样 charging 时间 C
oss
V
DS
增加 0 80%
V
DSS
.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
=1ma,v
GS
= 0 600 V
I
DSS
电压
电流 (v
GS
=0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率, T
C
= 125 °C
1
50
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
= ± 20V ±10 µA
V
gs(th)
门槛 电压
V
DS
=V
GS
,i
D
= 100µA
3 3.75 4.5 V
R
ds(在)
静态的 流-源
阻抗
V
GS
=10v,i
D
= 4.5 一个 0.65 0.75
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
=15V
,
I
D
= 4.5 一个 7.8 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
=25v,f=1mhz,v
GS
= 0 1370
156
37
pF
pF
pF
C
oss eq.
(3) 相等的 输出
电容
V
GS
=0v,v
DS
= 0V 480V 90 pF
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
t
r
转变-在 延迟 时间
上升 时间
V
DD
=300v,i
D
=4A
R
G
= 4.7
V
GS
=10V
(resistive 加载 看, 图示 3)
20
20
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
=480v,i
D
=8a,
V
GS
=10V
50
10
25
70
nC
nC
nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
t
f
转变-止 延迟 时间
下降 时间
V
DD
= 300 v, I
D
=4A
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(resistive 加载 看, 图示 3)
55
30
ns
ns
t
r(voff)
t
f
t
c
止-电压 上升 时间
下降 时间
交叉-在 时间
V
DD
= 480v, I
D
=8a,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
= 10V
(inductive 加载 看, 图示 5)
18
18
36
ns
ns
ns
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(2)
源-流 电流
源-流 电流 (搏动)
10
36
一个
一个
V
SD
(1)
向前 电压
I
SD
=10a,v
GS
=0
1.6 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 8 一个, di/dt = 100a/µs
V
DD
=40v,t
j
= 150°C
(看 测试 电路, 图示 5)
570
4.3
15
ns
µC
一个
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com