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资料编号:627248
 
资料名称:STP20NM50FD
 
文件大小: 276.77K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
 
 


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stp20nm50fd/stb20nm50fd-1
电的 特性
(持续)
动态
(1) 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
(2) C
oss eq.
定义 一个 常量 相等的 电容 一样 charging 时间 C
oss
V
DS
增加 0 80% V
DSS
.
切换
切换
二极管
便条: 1. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
>i
d(在)
xR
ds(在)最大值,
I
D
= 10A
9S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
=25v,f=1mhz,v
GS
= 0 1380
290
40
pF
pF
pF
C
oss eq.
(2) 相等的 输出
电容
V
GS
=0v,v
DS
= 0V 400V 130 pF
R
g
输入 阻抗 f=1 MHz 直流 Bias=0
测试 信号 Level=20mV
打开
2.8
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
DD
=250v,i
D
=10A
R
G
= 4.7
V
GS
=10V
(看 测试 电路, 图示 3)
22 ns
t
r
上升 时间 20 ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
=400v,i
D
= 20a,
V
GS
=10V
38
18
10
53 nC
nC
nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
r(voff)
止-电压 上升 时间
V
DD
= 400v, I
D
=20a,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
= 10V
(看 测试 电路, 图示 5)
6ns
t
f
下降 时间 15 ns
t
c
交叉-在 时间 30 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
源-流 电流 20 一个
I
SDM
(2)
源-流 电流 (搏动) 80 一个
V
SD
(1)
向前 电压
I
SD
=20a,v
GS
=0
1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间
I
SD
= 20 一个, di/dt = 100a/µs,
V
DD
=60v,t
j
= 150°C
(看 测试 电路, 图示 5)
245 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 2 µC
I
RRM
反转 恢复 电流 16 一个
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