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资料编号:6273
 
资料名称:08090
 
文件大小: 205.95K
   
说明
 
介绍:
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
序列 显示 电流.
PTF080901
典型 效能
(内容.)
–Carrier cdm一个 2000 效能
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 700 毫安, f = 880 mhz
15
20
25
30
35
40
45
50
39 40 41 42 43 44 45
输出 电源 (dbm),Avg.
流 效率 (%)
-65
-62
-59
-56
-53
-50
-47
-44
Adjacent 频道
电源 比率 (dbc)
Efficiency
alt 向上
一个CP
一个cp 向上
偏差Voltage vs.Temperature
电压 normalized 至 典型 门 电压.
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
-20 0 20 40 60 80 100
情况Temperature (ºc)
normalized 偏差 电压
1.50 一个
3.00 一个
4.50 一个
6.00 一个
7.50 一个
9.00 一个
所有 发行 数据 在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明.
broadband 电路 阻抗
0.1
0.2
0
.
1
0
.
1
-
W
一个
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
一个
R
D
G
E
N
E
-
-
-
W
一个
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
一个
R
D
L
O
一个
D
-
0
.
0
860 mhz
860 mhz
980 mhz
980 mhz
z 加载 z 源
Z
0
= 50
频率 z 源
z 加载
MHz R jX R jX
860 2.50 –1.09 1.98 –1.08
920 2.67 –0.43 1.99 –0.32
940 2.79 –0.35 1.87 –0.21
960 2.94 0.12 1.85 0.27
980 2.91 0.37 1.79 0.53
z 源 z 加载
G
S
D
数据 薄板52004-04-05
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