首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:627647
 
资料名称:STW60NE10
 
文件大小: 88.23K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号STW60NE10的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(持续)
切换
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
t
r
Turn-在 延迟 Time
上升 时间
V
DD
=50V I
D
=30A
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(resistive 加载, 图. 3)
28
100
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate 承担
Gate-source 承担
门-流 承担
V
DD
=80V I
D
=60A V
GS
= 10 V 142
27
59
185 nC
nC
nC
切换
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
t
f
Turn-止 延迟 Time
下降 时间
V
DD
=50V I
D
=30A
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(resistive 加载, 图. 3)
160
45
ns
ns
t
r(voff)
t
f
t
c
-voltage 上升 Time
下降 时间
交叉-over 时间
V
clamp
=80V I
D
=60A
R
G
=
4.7 Ω
V
GS
=10V
(inductive 加载, 图. 5)
40
45
85
ns
ns
ns
二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(
)
Source-dra Current
Source-dra Current
(搏动)
60
240
一个
一个
V
SD
(
)forwardonvoltage I
SD
=60A V
GS
=0 1.5 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复
时间
反转 恢复
承担
反转 恢复
电流
I
SD
= 60 一个 di/dt = 100 一个/
µ
s
V
DD
=50V T
j
=150
o
C
(看 test circu, fig. 5)
170
1.02
12
ns
µ
C
一个
(
) 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
Safe 运行 范围 热的 阻抗
STW60NE10
3/8
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com