STW20NB50
N - 频道 500V - 0.22
Ω
- 20A - 至-247
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.22
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
±
30V 门 至 源 电压 比率
■
100% AVALANCHE 测试
■
REPETITIVE AVALANCHE 数据 在 100
o
C
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 技术,
意法半导体 有 设计 一个 先进的
家族 的 电源 Mosfets 和 优秀的
performances. 这 新 专利权 pending strip
布局 结合 和 这 Company’s 专卖的
边缘 末端 结构, 给 这 最低
R
DS
(在) 每 范围, exceptional avalanche 和
dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担 和
切换 特性.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
October 1999
1
2
3
至-247
绝对 最大 比率
Symbol Parameter 值 Un它
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0) 500 V
V
DGR
流- gate 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
500 V
V
GS
Gate-s我们的ce 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
C20A
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
= 100
o
C 12.7 一个
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 80 一个
P
tot
Total Dissipation 在 T
c
=25
o
C250W
减额 事实或者 2 W/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4 v/ns
T
stg
存储 Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值 O每ating 接合面 Tem每ature 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
20a, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STW20NB50 500 V < 0.25
Ω
20 一个
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