首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:627735
 
资料名称:SUB75N06-07L
 
文件大小: 45.93K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SUB75N06-07L的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SUB75N06-07L的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SUB75N06-07L的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sup/sub75n06-07l
vishay siliconix
www.vishay.com
2-2
文档 号码: 70776
s-05111
rev. f, 10-dec-00



参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个 60
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v
,
V
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C 250
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 120 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个
0.0061 0.0075
一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20a 0.0071 0.0085
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 125
C 0.012
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 175
C 0.015
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 30 一个 30 S
动态
b
输入 电容 C
iss
6300
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 920 pF
反转 转移 电容 C
rss
350
总的 门 承担
c
Q
g
75 120
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 30 v
,
V
GS
= 10 v, i
D
= 75 一个
18
nC
门-流 承担
c
Q
gd
DS , GS D
27
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
14 40
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 30 v, r
L
= 0.47
15 40
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
V
DD
= 30 v, r
L
= 0.47
I
D
75 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 2.5
150 300
ns
下降 时间
c
t
f
50 100
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
b
持续的 电流 I
S
75
搏动 电流 I
SM
240
一个
向前 电压
一个
V
SD
I
F
= 75 一个 , v
GS
= 0 v 1.0 1.3 V
反转 恢复 时间 t
rr
67 120 ns
顶峰 反转 恢复 电流 I
rm(rec)
I
F
= 75 一个, di/dt = 100 一个/
s
6 8 一个
反转 恢复 承担 Q
rr
F
0.2 0.48
C
注释
一个. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
秒, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
c. 独立 的 运行 温度.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com