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资料编号:627770
 
资料名称:SUD25N06-45L
 
文件大小: 79.25K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
 
 


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sud25n06-45l
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70274
s-57253—rev. e, 24-二月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 250
一个
60
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
=
20 v
100 nA
ZGVl DiC I
V
DS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 125
C 50
一个
V
DS
= 175
C 150
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 10v 20 一个
DiS OS R i
b
V
GS
= 10 v, i
D
= 12 一个 0.025 0.035
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 12 一个, t
J
= 125
C 0.045 0.063
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 175
C 0.058 0.081
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 12 一个 0.036 0.045
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 12 一个 15 25 S
动态
输入 电容 C
iss
V 0 V V 25 V f 1 MH
1320
F
输出 电容 C
oss
V
GS
反转 转移 电容 C
rss
56
总的 门 承担
c
Q
g
V30VV10VI25A
26 40
C
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 25 一个
7.5
nC
门-流 承担
c
Q
gd
4.5
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
V30VR12
10 20
上升 时间
c
t
r
V
DD
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
DD
,
L
I
D
= 10 v, r
G
下降 时间
c
t
f
10 20
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
一个
搏动 电流 I
SM
30 一个
二极管 向前 电压 V
SD
I
F
= 25 一个, v
GS
= 0 v 1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=25 一个, di/dt = 100 一个/
s
60 90 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
I
F
= 25 一个, di/dt = 100 一个/
s
0.13
C
注释:
一个. 为 设计 aid 仅有的; 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
c. 独立 的 运行 温度.
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