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资料编号:627793
 
资料名称:SUD45P03-10
 
文件大小: 41.58K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 30-V 150C MOSFET
 
 


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sud45p03-10
vishay siliconix
www.vishay.com
2-4
文档 号码: 70766
s-02596
rev. d, 21-十一月-00


在-阻抗 vs. 接合面 温度 源-流 二极管 向前 电压
(normalized)
在-阻抗 (
T
J
接合面 温度 (
c)
V
SD
源-至-流 电压 (v)
r
ds(在)
)
源 电流 (一个)I
S
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
25 0 25 50 75 100 125 150
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
V
GS
= 10 v
I
D
= 45 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
0

0
4
8
12
16
20
0 25 50 75 100 125 150
safe 运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
500
10
0.1
0.1 1 10 100
限制
用 r
ds(在)
1
100
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
110
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
最大 流 电流 vs.
ambiemt 温度
T
一个
包围的 温度 (
c)
流 电流 (一个)I
D
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
1 ms
10 ms
100 ms
直流
10, 100
s
1 s
500100
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