sud40n10-25
vishay siliconix
新 产品
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2-2
文档 号码: 71140
s–00171—rev. 一个, 14-二月-00
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
100
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
ZGVl DiC I
V
DS
= 80 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 80 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
V
DS
= 80 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C 250
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 70 一个
DiS OS R i
b
V
GS
= 10 v, i
D
= 40 一个 0.02 0.025
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 40 一个, t
J
= 125
C 0.05
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 40 一个, t
J
= 175
C 0.063
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个 0.022 0.028
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 40 一个 70 S
动态
一个
输入 电容 C
iss
V 0 V V 25 V F 1 MH
2400
F
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz
290
pF
反转 转移 电容 C
rss
120
总的 门 承担
c
Q
g
V50VV10VI40A
40 60
C
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 40 一个
11
nC
门-流 承担
c
Q
gd
9
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
V50VR125
8 13
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 50 v, r
L
= 1.25
I 40A V 10V R 25
40 60
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
DD
,
L
I
D
40 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 2.5
15 25
ns
下降 时间
c
t
f
80 120
源-流 二极管 比率 和 典型的 (t
C
= 25
c)
搏动 电流 I
SM
70 一个
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
F
= 40 一个, v
GS
= 0 v 1.0 1.5 V
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 40 一个, di/dt = 100 一个/
s 75 120 ns
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
c. 独立 的 运行 温度.
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