sum65n20-30
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 71702
s-04920
—
rev. 一个, 15-oct-01
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
DS
= 0 v, i
D
= 250
一个 200
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 2 4
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
= 160 v, v
GS
= 0 v 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 160 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
DSS
V
DS
= 160 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C 250
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v 120 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个 0.023 0.030
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 125
C 0.063
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 175
C 0.084
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 30 一个 25 S
动态
b
输入 电容 C
iss
5100
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz
480 pF
反转 转移 电容 C
rss
210
总的 门 承担
c
Q
g
90 130
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 100 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 85 一个
23
nC
门-流 承担
c
Q
gd
DS GS D
34
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
24 35
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 100 v, r
L
= 1.5
220 330
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
V
DD
= 100 v, r
L
= 1.5
I
D
65 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 2.5
45 70
ns
下降 时间
c
t
f
200 300
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
b
持续的 电流 I
S
65
搏动 电流 I
SM
140
一个
向前 电压
一个
V
SD
I
F
= 65 一个, v
GS
= 0 v
1.0 1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
130 200 ns
顶峰 反转 恢复 电流 I
rm(rec)
I
F
= 50 一个, di/dt = 100 一个/
s
8 12 一个
反转 恢复 承担 Q
rr
F
0.52 1.2
C
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
c. 独立 的 运行 温度.
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