SUM110P06-07L-E3_集成电路资料查询网

sum110p06-07l
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码:  72439
s-40842—rev. b, 03-将-04
典型 特性 (25

c 除非 指出)
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2
0.5
0.8
1.1
1.4
1.7
2.0
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗vs. 接合面 temperature 源-流 二极管 向前电压
T
J
−
接合面 温度 (

c) V
SD
−
源-至-流 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
100
10
1
V
GS
= 10 v
I
D
= 30 一个
流源 损坏 vs.
接合面 temperature
avalanche 电流 vs. 时间
60
63
66
69
72
75
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
−
接合面 温度 (

c)t
在
(秒)
1000
10
0.00001 0.001 0.1 1
100
(一个)i
Dav
0.01
(v)v
(br)dss
0.0001
I
AV
(一个) @ t
一个
= 25

C
I
AV
(一个) @ t
一个
= 150

C
1
0.1
I
D
= 250

一个
T
J
= 25

C
T
J
= 150

C
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)

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sum110p06-07l vishay siliconix www.vishay.com 4 文档号码: 72439 s-40842—rev. b, 03-将-04 典型特性 (25  c 除非指出) 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 175 在-阻抗vs. 接合面 temperature 源-流二极管向前电压 T J − 接合面温度 (  c) V SD − 源-至-流电压 (v) − 源电流 (一个)I S 100 10 1 V GS = 10 v I D = 30 一个流源损坏 vs. 接合面 temperature avalanche 电流 vs. 时间 60 63 66 69 72 75 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 175 T J − 接合面温度 (  c)t 在 (秒) 1000 10 0.00001 0.001 0.1 1 100 (一个)i Dav 0.01 (v)v (br)dss 0.0001 I AV (一个) @ t 一个 = 25  C I AV (一个) @ t 一个 = 150  C 1 0.1 I D = 250  一个 T J = 25  C T J = 150  C r ds(在) − 在-resiistance (normalized)

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