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资料编号:627867
 
资料名称:SUP85N10-10
 
文件大小: 65.09K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
 
 


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sup/sub85n10-10
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71141
s-00172—rev. 一个, 14-二月-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
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0
2000
4000
6000
8000
10000
0 1530456075
0
4
8
12
16
20
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0
50
100
150
200
250
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0
0.005
0.010
0.015
0.020
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0
50
100
150
200
0123456
0
50
100
150
200
250
0246810
输出 特性 转移 特性
电容 门 承担
跨导 在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
– 流-至-源 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
I
D
– 流 电流 (一个)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
V
GS
– 跨导 (s)g
fs
25
C
–55
C
3 v
T
C
= 125
C
V
DS
= 50 v
I
D
= 85 一个
V
GS
= 10 thru 6 v
V
GS
= 10 v
C
iss
C
oss
T
C
= –55
C
25
C
125
C
4 v
V
GS
= 4.5 v
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
– 流 电流 (一个)i
D
I
D
– 流 电流 (一个)
5 v
C
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