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资料编号:627895
 
资料名称:SUP65P06-20
 
文件大小: 46.99K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sup/sub65p06-20
vishay siliconix
文档 号码: 70289
s-05111
rev. c, 10-dec-01
www.vishay.com
2-3


0
4
8
12
16
20
0 25 50 75 100 125 150 175
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0 20406080100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0 102030405060
0
20
40
60
80
100
0 20406080100
0
40
80
120
160
200
0246810
0
40
80
120
160
200
0246810
输出 特性 转移 特性
电容 门 承担
跨导 在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
门-至-源 电压 (v)
在-阻抗 (
Q
g
总的 门 承担 (nc)
I
D
流 电流 (一个)
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
r
ds(在)
)v
GS
V
GS
门-至-源 电压 (v)
跨导 (s)g
fs
25
C
125
C
6 v
T
C
=
55
C
V
DS
= 30 v
I
D
= 65 一个
V
GS
= 10, 9, 8 v
7 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 20 v
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
=
55
C
25
C
125
C
5 v
4 v
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