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资料编号:627903
 
资料名称:SUP60N06-18
 
文件大小: 72.47K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


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sup/sub60n06-18
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70290
s–57253—rev. d, 24-二月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
60
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
DS
= 1 毫安
2.0 4.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
= 60 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C 150
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 60 一个
DiS OS R i
一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个 0.014
0.018
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 125
C 0.024 0.030
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
= 175
C 0.031 0.036
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 30 一个 49 S
动态
b
输入 电容 C
iss
V 0 V V 25 V f 1 MH
2000
F
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz
400
pF
reversen 转移 电容 C
rss
115
总的 门 承担
c
Q
g
V30VV10VI60A
39 60
C
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 30 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 60 一个
12
nC
门-流 承担
c
Q
gd
10
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
12 30
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 30 v, r
L
= 0.5
11 30
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
DD
,
L
I
D
60 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 2.5
25 50
ns
下降 时间
c
t
f
15 30
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
b
持续的 电流 I
s
60
一个
搏动 电流 I
SM
120
一个
向前 电压
一个
V
SD
I
F
= 60 一个, v
GS
= 0 v 1.6 V
反转 恢复 时间 t
rr
I 60 一个 di/d 100 一个/
60 ns
顶峰 反转 恢复 电流 I
rm(rec)
I
F
= 60 一个, di/dt = 100 一个/
s
6.0 一个
反转 恢复 承担 Q
rr
0.4
C
注释:
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
c. 独立 的 运行 温度.
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