T1235H-600G-TR_集成电路资料查询网

t1235h 序列
5/7
图. 10:
泄漏 电流 相比 接合面
温度 为 不同的 值 的 blocking
电压 (典型 值).
图. 11:
可接受的 repetitive 顶峰 止-状态
电压 相比 情况-包围的 热的 阻抗.
图. 12:
d²pak 热的 阻抗 接合面 至
包围的 相比 铜 表面 下面 tab (打印
电路 板 fr4, 铜 厚度: 35
µ
m).
50 75 100 125 150
1e-3
1e-2
1e-1
1E+0
1E+1
tj(°c)
idrm/irrm(毫安)
VD=VR=600V
VD=VR=400V
VD=VR=200V
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
100
200
300
400
500
600
700
rth(c-一个)(°c/w)
vdrm/vrrm(v)
Tj=150°C
rth(j-c)=1.2°c/w
0 4 8 1216202428323640
0
10
20
30
40
50
60
70
80
s(cm²)
rth(j-一个) (°c/w)
D²PAK

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

t1235h 序列 5/7 图. 10: 泄漏电流相比接合面温度为不同的值的 blocking 电压 (典型值). 图. 11: 可接受的 repetitive 顶峰止-状态电压相比情况-包围的热的阻抗. 图. 12: d²pak 热的阻抗接合面至包围的相比铜表面下面 tab (打印电路板 fr4, 铜厚度: 35 µ m). 50 75 100 125 150 1e-3 1e-2 1e-1 1E+0 1E+1 tj(°c) idrm/irrm(毫安) VD=VR=600V VD=VR=400V VD=VR=200V 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 100 200 300 400 500 600 700 rth(c-一个)(°c/w) vdrm/vrrm(v) Tj=150°C rth(j-c)=1.2°c/w 0 4 8 1216202428323640 0 10 20 30 40 50 60 70 80 s(cm²) rth(j-一个) (°c/w) D²PAK

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com