N
netz-thyristor
阶段 控制 thyristor
datenblatt / 数据 薄板
t 1451n
bip am / sm 铅, 2001-02-06, przybilla j. /
Keller
2/8
seite/页
thermische eigenschaften
mechanische eigenschaften
elektrische eigenschaften / 电的 properties
charakteristische werte / 典型的 值
Freiwerdezeit
电路 commutated 转变-止 时间
T
vj
= t
vj 最大值
, i
TM
= i
TAVM
v
RM
= 100 v, v
DM
= 0,67 v
DRM
dv
D
/dt = 20 v/µs, -di
T
/dt = 10 一个/µs
4.kennbuchstabe / 4
th
letter o
t
q
典型值 450 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered 承担
T
vj
= t
vj 最大值
i
TM
= i
TAVM
, -di
T
/dt = 10 一个/µs
V
R
= 0,5v
RRM
, v
RM
= 0,8v
RRM
Q
r
最大值 15 mas
Rückstromspitze
顶峰 反转 恢复 电流
T
vj
= t
vj 最大值
i
TM
= i
TAVM
, -di
T
/dt = 10 一个/µs
V
R
= 0,5v
RRM
, v
RM
= 0,8v
RRM
I
RM
最大值 320 一个
thermische eigenschaften / 热的 properties
innerer wärmewiderstand
热的 阻抗, 接合面 至 情况
kühlfläche / 冷却 表面
beidseitig / 二-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / 二-sided, 直流
anode / anode, 直流
kathode / cathode, 直流
R
thJC
最大值
最大值
最大值
最大值
0,0097
0,009
0,014
0,0250
°c/w
°c/w
°c/w
°c/w
Übergangs-wärmewiderstand
热的 阻抗, 情况 至 散热器
kühlfläche / 冷却 表面
beidseitig / 二-sided
einseitig / 单独的-sided
R
thCH
最大值
最大值
0,0025
0,005
°c/w
°c/w
höchstzulässige sperrschichttemperatur
最大 接合面 温度
T
vj 最大值
125 °C
Betriebstemperatur
运行 温度
T
c 运算
-40...+125 °c
Lagertemperatur
存储 温度
T
stg
-40...+150 °c
mechanische eigenschaften / 机械的 properties
gehäuse, siehe anlage
情况, 看 annex
seite 3
页 3
si-元素 mit druckkontakt
si-pellet 和 压力 联系
Anpresskraft
夹紧 强迫
f 36...52 kn
Steueranschlüsse
控制 terminals
din 46244 门
kathode /cathode
一个 4,8x0,8
一个 6,3x0,8
Gewicht
重量
g 典型值 1500 g
Kriechstrecke
creepage 距离
33 mm
Schwingfestigkeit
震动 阻抗
f = 50 hz 50 m/s²
mit diesem datenblatt werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt 在
verbindung mit den zugehörigen technischen erläuterungen.
这个 数据 薄板 specifies 半导体 devices, 但是 promises 非 特性. 它 是有效的 在 结合体 和 这 belonging
技术的 注释.