t4 序列
5/8
图. 6:
非-repetitive surge 顶峰 在-状态
电流 为 一个 sinusoidal 脉冲波 和 宽度
tp < 10ms, 和 相应的 值 的 i²t.
图. 7:
在-状态 特性 (最大
值).
图. 8:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 (dv/dt)c (典型
值).
图. 9:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 接合面
温度.
图. 10:
dpak 热的 阻抗 接合面 至
包围的 相比 铜 表面 下面 tab (打印
电路 板 fr4, 铜 厚度: 35µm).
0.01 0.10 1.00 10.00
1
10
100
500
tp (ms)
itsm (一个), i²t (a²s)
tj 最初的=25°c
ITSM
I²t
di/dt 限制:
50a/µs
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0.1
1.0
10.0
30.0
itm(一个)
tj 最大值.:
vto= 0.90 V
rd= 120 m
Ω
tj=tj 最大值
vtm(v)
0.1 1.0 10.0 100.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
(di/dt)c [(dv/dt)c] / 指定 (di/dt)c
T435
T410
T405
(dv/dt)c (v/µs)
0 25 50 75 100 125
0
1
2
3
4
5
6
(di/dt)c [tj] / (di/dt)c [tj specified]
tj(°c)
0 4 8 1216202428323640
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
rth(j-一个) (°c/w)
DPAK
s(cm²)
: 点此下载
