h04-004-03
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ms5f 5431
4
3. Absolute 最大值imum 比率 ( 在 tc= 25
℃
unless否则 specified
）
Items Symbols 情况
最大
比率
单位s
集电级-发射级 电压 VCES Ic=1mA 600 V
门-发射级 电压 VGES ±20 V
Ic 职责=100 %
100
集电级 电流 ic 脉冲波 1ms
200
一个
如果
Duty=50 %
100
如果 脉冲波 1ms 200
集电级 电源 消耗 Pc 310 W
Junction 温度 Tj 150
℃
存储 温度 Tstg -40~ +125
℃
分开 电压
(*1)
Viso 交流 : 1min. 2500 V
Screw torque
挂载
(*2)
3.5
N
⋅
m
(*1) 所有 terminalsshould 是 connected 一起 当 分开 测试 will 是 完毕.
(*2) recommendable value : 挂载 2.5~3.5 n
⋅
m (m5)
4. Electrical characteristics ( 在 tj=25
℃
unless否则 specified)
Characteristics
Items Symbols 情况
最小值 typ. 最大值.
单位s
Zero gate voltage
集电级 电流
I
CES
V
GE
=0v,v
CE
= 600 V - - 1.0 毫安
门-发射级 leakage 电流 I
GES
V
CE
=0v,v
GE
= ±20 V - - 200
n
一个
门-发射级
thres支撑 电压
V
ge(th)
V
CE
= 20 v, ic = 100 毫安 6.2 6.7 7.7 V
集电级-发射级
VCE(s 一个t)
V
GE
=15V
碎片
-1.82.2
V
饱和 电压 ic = 100 一个
终端
-2.12.5
输入 capacitance Cies
vge =
0 V - 8500 -
输出 电容 Coes V
CE
= 10 V - 1500 - pF
反转 转移 电容 Cres f = 1 MHz - 1300 -
ton Vcc= 300 V - 0.4 1.2
转变-在 时间 tr Ic= 100 一个 - 0.25 0.6
tr
(i)
V
GE
= ±15 V - 0.1 -
μ
s
转变-off time
toff R
G
=33
Ω
-0.41.2
tf - 0.04 0.45
向前 在 电压 V
F
I
F
= 100 一个
碎片
-1.72.2
V
终端
-2.02.5
反转 恢复 时间 trr 如果 = 100 一个 - - 0.3
μ
s
allowabe avalanche 活力
在 short 电路 cutting 止 P
AV
ic > 200a ,tj = 125
℃
55 - - mJ
(非-repetitive)
5. 热的 resistance characteristics
Characteristics
Items Symbols 情况
最小值 typ. 最大值.
单位s
热的 阻抗
R
th(j-c)
IGBT - - 0.400
(1 设备) FWD - - 1.02
℃
/
Ｗ
Contact 热的 res是tance R
th(c-f)
With 热的 复合
※
-0.05-
* 这个是 这 值 这个 是 定义 挂载 在 这 额外的 cooling fin
和 热的 复合.
1 设备
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