飞利浦 半导体 产品 规格
三 quadrant triacs bta225b 序列 b
高 commutation
一般 描述 快 涉及 数据
Glass 钝化的 高 commutation
标识 参数 最大值 最大值 最大值 单位
triacs 在 一个 塑料 封套 合适的 为
表面 挂载, 将 为 使用 在
bta225b- 500B 600B 800B
电路 在哪里 高 静态的 和 动态 V
DRM
repetitive 顶峰 止-状态 500 600 800 V
dv/dt 和 高 di/dt 能 出现. 这些 电压
设备 将 commutate 这 全部 评估 I
t(rms)
rms 在-状态 电流 25 25 25 一个
rms 电流 在 这 最大 评估 I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 180 180 180 一个
接合面 温度, 没有 这 aid 电流
的 一个 snubber.
固定 - sot404 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 主要的 终端 1
2 主要的 终端 2
3 门
mb 主要的 终端 2
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
-500 -600 -800
V
DRM
repetitive 顶峰 止-状态 - 500
1
600
1
800 V
电压
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 全部 sine 波; - 25 一个
T
mb
≤
91 ˚c
I
TSM
非-repetitive 顶峰 全部 sine 波;
在-状态 电流 T
j
= 25 ˚c 较早的 至 surge
t = 20 ms -
t = 16.7 ms - 190 一个
209 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 180 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 I
TM
= 30 一个; i
G
= 0.2 一个; 100 一个/
µ
s
在-状态 电流 之后 dI
G
/dt = 0.2 一个/
µ
s
triggering
I
GM
顶峰 门 电流 - 2 一个
V
GM
顶峰 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 5 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.5 W
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 - 125 ˚C
温度
13
mb
2
T1T2
G
1
虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800v 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 triac 将
转变 至 这 在-状态. 这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
九月 1997 1 rev 1.100
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