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资料编号:637364
 
资料名称:MMBTA42LT1
 
文件大小: 102.22K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Transistors(NPN Silicon)
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
m28–1/3
1
3
2
MMBTA42LT1
MMBTA43LT1
2
发射级
3
集电级
1
根基
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
高 电压 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识
MMBTA42 MMBTA43
单位
collector–emitter 电压 V
CEO
300 200 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
300 200 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
6.0 6.0 Vdc
C
500 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1)
P
D
225 mW
T
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗
P
D
300 mW
alumina 基质, (2) t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
2.4 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
417 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
mmbta42lt1 = 1d; mmbta43lt1 = m1e
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压(3) V
(br)ceo
Vdc
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0) MMBTA42 300
MMBTA43 200
emitter–base 损坏 电压 V
(br)cbo
Vdc
(i
C
= 100
µ
模数转换器, i
E
= 0) MMBTA42 300
MMBTA43 200
emitter–base 损坏 电压
V
(br)ebo
6.0 Vdc
(i
E
= 100
µ
模数转换器, i
C
= 0)
集电级 截止 电流 I
CBO
µ
模数转换器
( v
CB
= 200vdc, i
E
= 0) MMBTA42 0.1
( v
CB
= 160vdc, i
E
= 0) MMBTA43 0.1
发射级 截止 电流 I
EBO
µ
模数转换器
( v
EB
= 6.0vdc, i
C
= 0) MMBTA42 0.1
( v
EB
= 4.0vdc, i
C
= 0) MMBTA43 0.1
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
<
300
µ
s, 职责 循环
<
2.0%.
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