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资料编号:638187
 
资料名称:MMBTA92LT3
 
文件大小: 53.71K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Transistors(PNP Silicon)
 
 


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MMBTA92LT1 MMBTA93LT1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出) (持续)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
在 特性
(3)
直流 电流 增益
(i
C
= –1.0 madc, v
CE
= –10 vdc) 两个都 类型
(i
C
= –10 madc, v
CE
= –10 vdc) 两个都 类型
(i
C
= –30 madc, v
CE
= –10 vdc) MMBTA92
MMBTA93
h
FE
25
40
25
25
集电级 发射级 饱和 电压
(i
C
= –20 madc, i
B
= –2.0 madc) MMBTA92
MMBTA93
V
ce(sat)
–0.5
–0.5
Vdc
base–emitter 饱和 电压
(i
C
= –20 madc, i
B
= –2.0 madc)
V
是(sat)
–0.9 Vdc
SMALL–信号 特性
电流 增益 — 带宽 产品
(i
C
= –10 madc, v
CE
= –20 vdc, f = 100 mhz)
f
T
50 MHz
collector–base 电容
(v
CB
= –20 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) MMBTA92
MMBTA93
C
cb
6.0
8.0
pF
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
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