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tae 4453
taf 4453
半导体 组 6
特性 (tae 4453 g)
V
S
=
±
2V
参数 标识 限制 值
T
一个
= 25
°
C
限制 值
T
一个
= – 25
至 85
°
C
单位
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
输入 补偿 电压,
R
G
= 50
Ω
V
IO
– 6 6 – 7.5 7.5 mV
输入 补偿 电流
输入 电流
I
IO
I
I
–15
40
15
150
– 100 100
200
nA
nA
打开-循环 电压 增益;
R
L
= 2 k
Ω
G
V0
70 70 dB
绝对 最大 比率 (taf 4453 g)
参数 标识 限制 值 单位
供应 电压
V
S
±
18 V
输出 电流
I
Q
100 毫安
差别的 输入 电压
V
ID
±
V
S
V
接合面 温度
存储 温度 范围
T
j
T
stg
150
– 55 至 125
°
C
°
C
热的 阻抗
系统 - 空气 taf 4453 g
R
th sa
120 k/w
运行 范围 (taf 4453 g)
供应 电压
V
S
±
2 至
±
18
(
±
1.5 v 和 slightly
增加 补偿 电压)
V
包围的 温度
T
一个
– 55 至 125
°
C

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tae 4453 taf 4453 半导体组 6 特性 (tae 4453 g) V S = ± 2V 参数标识限制值 T 一个 = 25 ° C 限制值 T 一个 = – 25 至 85 ° C 单位最小值典型值最大值最小值最大值输入补偿电压, R G = 50 Ω V IO – 6 6 – 7.5 7.5 mV 输入补偿电流输入电流 I IO I I –15 40 15 150 – 100 100 200 nA nA 打开-循环电压增益; R L = 2 k Ω G V0 70 70 dB 绝对最大比率 (taf 4453 g) 参数标识限制值单位供应电压 V S ± 18 V 输出电流 I Q 100 毫安差别的输入电压 V ID ± V S V 接合面温度存储温度范围 T j T stg 150 – 55 至 125 ° C ° C 热的阻抗系统 - 空气 taf 4453 g R th sa 120 k/w 运行范围 (taf 4453 g) 供应电压 V S ± 2 至 ± 18 ( ± 1.5 v 和 slightly 增加补偿电压) V 包围的温度 T 一个 – 55 至 125 ° C

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