sles048c − july 2003 − 修订 march 2004
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6
电的 特性
pvdd_x =29.5 v, gvdd = 29.5 v, dvdd 连接 至 dreg 通过 一个 100-
Ω
电阻, r
L
= 6
Ω
, 8x f
s
= 384 khz, 除非 否则 指出
典型 在 温度
标识 参数 测试 情况
T
一个
=25
°
C T
一个
=25
°
C
T
情况
=
75
°
C
T
一个
=40
°
C
至 85
°
C
单位
最小值/典型值/
最大值
输入/输出 保护
V
uvp,g
欠压 保护
设置 这 dut 在 正常的
运作 模式 和 所有 这
protections 使能. sweep
gvdd 向上 和 向下. 监控
7.4
6.9 V 最小值
V
uvp,g
欠压 保护
限制, gvdd
gvdd 向上 和 向下. 监控
SD输出. record 这
greg 读 当 sd是
triggered.
7.4
7.9 V 最大值
OTW
overtemperature 警告,
接合面 温度
125
°
C Typ
OTE
overtemperature 错误,
接合面 温度
150
°
C Typ
OC overcurrent 保护 看 便条 1. 5.8 一个 Typ
静态的 数字的 规格
pwm_ap, pwm_bp, m1,
m2, m3, sd, otw
V
IH
高-水平的 输入 电压
2 V 最小值
V
IH
高-水平的 输入 电压
DVDD V 最大值
V
IL
低-水平的 输入 电压 0.8 V 最大值
泄漏 输入 泄漏 电流
−10
µ
一个 最小值
泄漏 输入 泄漏 电流
10
µ
一个 最大值
otw/关闭 (sd)
内部 拉 向上 r 从
otw/sd至 dvdd
30 22.5 k
Ω
最小值
V
OL
低-水平的 输出 电压 I
O
= 4 毫安 0.4 V 最大值
(1)
至 优化 设备 效能 和 阻止 overcurrent (oc) 保护 tripping, 这 demodulation 过滤 必须 是 设计 和 特定的 小心. 看
Demodulation过滤 设计
在 这
应用 信息
部分 的 这 数据 薄板 和 考虑 这 推荐 inductors 和 电容 为
最优的效能. 它 是 也 重要的 至 考虑 pcb 设计 和 布局 为 最佳的 效能 的 这 tAS5112. 它 是 推荐 至 follow
这 tas5112f2evm (s/n 112) 设计 和 布局 指导原则 为 最好的 效能.
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