sles088d – 8月 2003 – 修订 将 2004
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这些设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
一般 信息
终端 分派
这 tas5122 是 offered 在 一个 thermally 增强 56-管脚
dca 包装 (热的 垫子 是 在 这 bottom). 输出 的 这
dca 包装 是 高级地 依赖 在 热的 设计. 看
这
热的 信息
部分. 因此, 它 是 重要的
至 设计 这 散热器 carefully.
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地
地
GREG
DVDD
地
DGND
地
pwm_ap
pwm_am
重置_ab
pwm_bm
pwm_bp
DREG
M1
M2
M3
dreg_rtn
pwm_cp
pwm_cm
重置_cd
pwm_dm
pwm_dp
sd_ab
sd_cd
OTW
GREG
地
地
地
GVDD
bst_一个
pvdd_
一个
pvdd_一个
输出_一个
输出_一个
地
地
输出_b
输出_b
pvdd_
B
pvdd_b
bst_b
bst_c
pvdd_c
pvdd_c
输出_c
输出_c
地
地
输出_d
输出_d
pvdd_
D
pvdd_d
bst_d
GVDD
地
dca 包装
(顶 视图)
绝对 最大 比率
在 operating 自由-空气 温度 范围 除非 否则 指出
(1)
TAS5122 单位
dvdd 至 dgnd –0.3 v 至 4.2 v
gvdd 至 地 28 v
pvdd_x 至 地 (直流 电压) 28 v
输出_x 至 地 (直流 电压) 28 v
bst_x 至 地 (直流 电压) 40 v
greg 至 地
(2
)
14.2 v
pwm_xp,重置, m1, m2, m3, sd,
OTW
–0.3 v 至 dvdd + 0.3 v
最大 运行 接合面
温度, t
J
–40
°
c 至 150
°
C
存储 温度 –40
°
c 至 125
°
C
(1)
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力
比率仅有的,和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之外 那些 表明 下面 “recommended
运行 conditions” 是 不 暗指. 暴露 至 绝对-
最大-评估情况 为 扩展 时期将 影响 设备
可靠性.
(2)
greg 是 treated 作 一个 输入 当 这 greg 管脚 是 过载 用
gvdd 的 12 v.
订货 信息
T
一个
包装 描述
0
°
c 至 70
°
C TAS5122DCA 56-管脚 小 tssop
包装 消耗 比率
包装
R
θ
JC
(
°
c/w)
R
θ
JA
(
°
c/w)
56-管脚dca tssop 1.14 看 便条 1
(1)
这 tas5122 包装 是 thermally 增强 为 传导性的
冷却使用 一个 exposed metal 垫子 范围. 它 是 impractical 至 使用 这
设备 和 这 垫子 exposed 至 包围的 空气 作 这仅有的 热温sinking
的 这 设备.
为 这个 reason, r
θ
JA
一个 系统 参数 那 characterizes 这
热的 treatment 提供 在 这 应用. 一个 例子 和
discussion 的 典型 系统 r
θ
JA
值 是 提供 在 这
热的 信息
部分. 这个 例子 提供 额外的
信息关于 这 电源 消耗 比率. 这个 例子
应当 是 使用 作 一个 涉及 至 计算 这 热温 消耗
比率 为 一个 明确的 应用. 德州仪器 应用 engineering
提供技术的 支持 至 设计 heatsinks 如果 需要.
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