5-20
telcom 半导体, 公司
TC1232
微处理器 监控
绝对 最大 ratings*
电压 在 任何 管脚 (和 遵守 至 地)
– 0.3v 至 +5.8v
运行 温度 范围:
TC1232C .......................................... 0
°
c 至 +70
°
C
TC1232E ..................................... – 40
°
c 至 + 85
°
C
存储 温度 范围 ................ – 65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) ................. +300
°
C
*stresses 在之外 那些 列表 下面 "绝对 最大 比率" 将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外
那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不
暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 将 影响 设备 可靠性.
直流 电的 特性:
T
一个
= t
最小值
至 t
最大值;
V
CC
=
+4.5v
至 5.5v, 除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
供应 电压 4.5 5.0 5.5 V
V
IH
st 和 铅 rst 2.0 — V
CC
+0.3 V
输入 高 水平的 便条 1
V
IL
st 和 铅 rst – 0.3 — +0.8 V
输入 低 水平的
I
L
输入 泄漏 st, tol – 1.0 — +1.0
µ
一个
I
OH
输出 电流 rst V
OH
= 2.4v – 1.0 –12 — 毫安
I
OL
电流 rst, rst V
OL
= 0.4v 2.0 10 — 毫安
I
CC
运行 电流 便条 2 — 50 200
µ
一个
V
CCTP
V
CC
5% trip 要点 (便条 3) tol = 地 4.50 4.62 4.74 V
V
CCTP
V
CC
10% trip 要点 (便条 3) tol = v
CC
4.25 4.37 4.49 V
交流 电的 特性:
T
一个
= t
最小值
至 t
最大值;
V
CC
=
+5V
至+10%, 除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
铅
铅 rst (便条 5) 图示 3 20 — — msec
t
PBD
铅 rst 延迟 图示 3 1 4 20 msec
t
RST
重置 起作用的 时间 250 610 1000 msec
t
ST
st 脉冲波 宽度 图示 4 75 — — nsec
t
TD
st 时间-输出 时期 图示 4
td 管脚 = 0v 62.5 150 250 msec
td 管脚 = 打开 250 600 1000 msec
td 管脚 = v
CC
500 1200 2000 msec
t
F
V
CC
下降 时间 (便条 4) 图示 5 10 — —
µ
秒
电容 (便条 4):
T
一个
= +25
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
C
在
输入 电容 st, tol — — 5 pF
C
输出
输出 电容 rst, rst
——7pF
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