4-95
telcom 半导体, 公司
7
6
5
4
3
1
2
8
输出 部分
R
ds (在) I
下沉
= 20ma — 7 15 — 7 15
Ω
R
ds (在) I
源
= 20ma — 11 20 — 11 15
Ω
上升 时间 C
L
= 1nf (便条 1) — 40 60 — 35 60 nsec
下降 时间 C
L
= 1nf (便条 1) — 30 60 — 30 40 nsec
交叉 传导 在 coulombs (便条 1) — 6.5 — — 6.5 — nC
V
DD
毫安 便条 1 — — 18 — — 18 V
欠压 lockout 部分
开始 门槛 x8C43 7.9 8.4 8.8 7.9 8.4 8.8 V
欠压 门槛 x8C43 7.2 7.6 7.9 7.2 7.6 7.9 V
pwm 部分
最大 职责 循环 x8c43 (便条 1) 95 97 100 95 97 100 %
最小 职责 循环 0 0 %
供应 电流
开始 向上 T
一个
= 25
°
c, v
在
< v
UV
; 图示 1 50 170 300 50 170 300
µ
一个
运行 V
FB
= v(i
SENSE
) = 0v; 图示 4 1 2 1 1.5 毫安
电的 特性
(内容)
:
除非 否则 陈述, 这些 规格 应用 在 指定
温度 范围. v
在
= v
DD
= 15v; r
T
= 71 k
Ω
; c
T
= 150 pf.
TC18C4X
TC28C4X TC38C4X
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
在哪里 0
≤
v(i
SENSE
)
≤
0.8v
4. 输出 频率 相等 振荡器 频率 为 这
x8c43.
5. psrr 的 v
REF
, 错误 放大 和 pwm 比较器
结合体.
注释:
1. 这些 参数, 虽然 有保证的 在 这
推荐 运行 情况, 是 不 测试 在
生产.
2. 参数 量过的 在 trip 要点 的 获得.
3. 增益 比率 是 定义 作:
∆
V
竞赛
∆
v(i
SENSE
)
telcom 半导体 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 这 电路系统 或者 规格 详细地 在 这个 手工的 在 任何 时间 没有 注意. minimums
和 maximums 是 有保证的. 所有 其它 规格 是 将 作 指导原则 仅有的. telcom 半导体 假设 非 责任 为 这 使用 的
任何 电路 描述 在此处 和 制造 非 描述 那 它们 是 自由 从 专利权 侵犯.
*static-敏感的 设备. unused 设备 必须 是 贮存 在 传导性的 材料. 保护 设备 从 静态的 释放 和 静态的 地方. 压力 在之上
那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的
这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
管脚 描述
管脚 非. 管脚 非 管脚 非
8-管脚 14-管脚 16-管脚 标识 描述
2 1 NC 非 连接
4 2 NC 非 连接
1 1 3 CMPTR 补偿 的 这 反馈 循环 回馈.
234 V
FB
反馈 的 电压 至 错误 放大器 至 regulate 电压.
355 I
SENSE
为 感觉到 通过 晶体管 电流 和 terminate 驱动 当 电流
限制 门槛 是 reached 在 这个 管脚.
4 7 6 R
T
/c
T
电容 和 电阻 输入 至 设置 振荡器 频率 的 这个 pwm
控制. 这 电阻 是 连接 从 v
REF
输出 至 r
T
/c
t.
这 电容 是 连接 从 r
T
/c
T
至 相似物 地.
TC18C43
TC28C43
TC38C43
bicmos 电流 模式
pwm 控制者
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