4-226
telcom 半导体, 公司
6a 高-速 场效应晶体管 驱动器
TC4420
TC4429
电的 特性:
T
一个
= +25
°
c 和 4.5v
≤
V
DD
≤
18v, 除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
IH
逻辑 1 高 输入 电压 2.4 1.8 — V
V
IL
逻辑 0 低 输入 电压 — 1.3 0.8 V
V
在
(最大值) 输入 电压 范围 –5 — V
DD
+0.3 V
I
在
输入 电流 0V
≤
V
在
≤
V
DD
– 10 — 10
µ
一个
输出
V
OH
高 输出 电压 看 图示 1 V
DD
– 0.025 — — V
V
OL
低 输出 电压 看 图示 1 — — 0.025 V
R
O
输出 阻抗, 高 I
输出
= 10 毫安, v
DD
= 18v — 2.1 2.8
Ω
R
O
输出 阻抗, 低 I
输出
= 10 毫安, v
DD
= 18v — 1.5 2.5
Ω
I
PK
顶峰 输出 电流 V
DD
= 18v (看 图示 5) — 6 — 一个
I
REV
获得-向上 保护 职责 循环
≤
2% 1.5 — — 一个
承受 反转 电流 t
≤
300
µ
s
切换 时间
(便条 1)
t
R
上升 时间 图示 1, c
L
= 2500 pf — 25 35 nsec
t
F
下降 时间 图示 1, c
L
= 2500 pf — 25 35 nsec
t
D1
延迟 时间 图示 1 — 55 75 nsec
t
D2
延迟 时间 图示 1 — 55 75 nsec
电源 供应
I
S
电源 供应 电流 V
在
= 3v — 0.45 1.5 毫安
V
在
= 0v — 55 150
µ
一个
V
DD
运行 输入 电压 4.5 — 18 V
绝对 最大 ratings*
供应 电压 ......................................................... +20V
输入 电压 ............................................... – 5v 至 > v
DD
输入 电流 (v
在
> v
DD
) .........................................50mA
电源 消耗, t
一个
≤
70
°
C
PDIP ...............................................................730mW
SOIC ...............................................................470mW
CerDIP ............................................................800mW
5-管脚 至-220 ......................................................1.6w
包装 电源 消耗 (t
一个
≤
70
°
c)
5-管脚 至-220 (和 热温 下沉) .........................1.60w
减额 factors (至 包围的)
PDIP ............................................................. 8mw/
°
C
SOIC ............................................................. 4mw/
°
C
CerDIP ....................................................... 6.4mw/
°
C
5-管脚 至-220 .............................................. 12mw/
°
C
热的 阻抗 (至 情况)
5-管脚 至-220 r
θ
j-c
........................................ 10
°
c/w
存储 温度 范围 ................ – 65
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 (碎片) .............................. +150
°
C
运行 温度 范围 (包围的)
c 版本 ............................................... 0
°
c 至 +70
°
C
i 版本 ........................................... – 25
°
c 至 +85
°
C
e 版本 .......................................... – 40
°
c 至 +85
°
C
m 版本 ....................................... – 55
°
c 至 +125
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) ................. +300
°
C
*static-敏感的 设备. unused 设备 必须 是 贮存 在 传导性的
材料. 保护 设备 从 静态的 释放 和 静态的 地方. 压力
在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大 比率" 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些
表明 在 这 运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将
影响 设备 可靠性.
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