2002 微芯 技术 公司 ds21440b-页 5
tc622/tc624
3.0 详细地 描述
3.1 Trip 要点 程序编制
当 这 温度 的 这 设备 超过 这 pro-
grammed 温度 trip 要点, T
设置
,theoutand
输出
输出 是 驱动 在 它们的 起作用的 states. 这
desired trip 要点 温度 是 编写程序 和 一个
单独的 外部 电阻 连接 在 这 T
设置
输入 和 V
CC
. 这 relationship 在 这 电阻
值 和 这 trip 要点 温度 是 给 用
等式 3-1.
等式 3-1:
为 例子, 作 显示 在 图示 3-1, 至 程序 这
设备 至 trip 在 50°c, 这 程序编制 电阻 是:
图示 3-1: 程序编制
电阻 值 vs.
温度
3.2 Hysteresis
至 阻止 输出 “chattering” 在 这 trip 要点 tempera-
ture, 这 温度 探测器 在 这 tc622/tc624 有
2°C hysteresis (看 图示 3-2). 这 输出 是 驱动
起作用的 当 这 温度 crosses 这 设置 要点
决定 用 这 外部 电阻. 作 温度
declines 在下 这 设置 要点, 这 hysteresis action 将
支撑 这 输出 真实 直到 这 温度 drops 2°C
在下 这 门槛.
图示 3-2: tc622/tc624
HYSTERESIS
R
TRIP
= 0.5997 x T
2.1312
在哪里:
R
TRIP
= 程序编制 电阻 值 在 Ohms
T = Desired trip 温度 在 degrees kelvin.
R
TRIP
= 0.5997 x ((50 + 273.15)
2.1312
) = 133.65k
Ω
温度 (˚c)
阻抗, r
TRIP
(k
Ω
)
-55 -35 -15 5 25 45 65 85 105 125
50
100
150
200
250
设置 要点
温度
输出
(设置 要点 – 2 degrees c)
输出
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