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telcom 半导体, 公司
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5
4
3
1
2
8
TC660
100ma 承担 打气 直流-至-直流
电压 转换器
图示 1. tc660 测试 电路 (反相器)
图示 2. idealized 切换 电容
V
+
地
S
3
S
1
S
2
S
4
C
2
V
输出
= – v
在
C
1
theoretical 电源 效率
仔细考虑
在 theory, 一个 电压 乘法器 能 approach 100%
效率 如果 确实 情况 是 符合:
(1) 这 驱动 电路系统 消费 minimal 电源.
(2) 这 输出 switches 有 极其 低 在
阻抗 和 virtually 非 补偿.
(3) 这 阻抗 的 这 打气 和 reservoir
电容 是 negligible 在 这 打气 频率.
这 tc660 approaches 这些 情况 为 负的
电压 multiplication 如果 大 值 的 c
1
和 c
2
是 使用.
活力 是 lost 仅有的 在 这 转移 的 承担 在
电容 如果 一个 改变 在 电压 occurs.
这 活力 lost
是 定义 用:
e = 1/2 c
1
(v
1
2
– v
2
2
)
V
1
和 v
2
是 这 电压 在 c
1
在 这 打气 和
转移 循环. 如果 这 阻抗 的 c
1
和 c
2
是 相当地
高 在 这 打气 频率 (谈及 至 图示 2) 对照的 至
这 值 的 r
L
, 那里 将 是 一个 substantial 区别 在
电压 v
1
和 v
2
. 因此, 它 是 desirable 不 仅有的 至
制造 c
2
作 大 作 可能 至 eliminate 输出 电压
波纹, 但是 也 至 雇用 一个 correspondingly 大 值 为
C
1
在 顺序 至 达到 最大 效率 的 运作.
1
2
3
4
8
7
6
5
TC660
+
V
+
(+5v)
V
输出
C
1
150 µf
+
C
2
150 µf
I
L
R
L
I
S
V
+
电路 描述
这 tc660 包含 所有 这 需要 电路系统 至 com-
plete 一个 电压 反相器 (图示 1), 和 这 例外 的 二
外部 电容, 这个 将 是 inexpensive 150
µ
f polar-
ized electrolytic 电容. 运作 是 最好的 理解 用
considering 图示 2, 这个 显示 一个 idealized 电压
反相器. 电容 c
1
是 charged 至 一个 电压 v
+
为 这 half
循环 当 switches s
1
和 s
3
是 关闭. (
便条:
Switches
S
2
和 s
4
是 打开 在 这个 half 循环.) 在 这 第二
half 循环 的 运作, switches s
2
和 s
4
是 关闭, 和
S
1
和 s
3
打开, 因此 shifting 电容 c
1
negatively 用
V
+
伏特. 承担 是 然后 transferred 从 c
1
至 c
2
, 此类 那
这 电压 在 c
2
是 exactly v
+
, 假设 完美的 switches 和
非 加载 在 c
2
.
这 四 switches 在 图示 2 是 mos 电源 switches;
S
1
是 一个 p-频道 设备, 和 s
2
, s
3
和 s
4
是 n-频道
设备. 这 主要的 difficulty 和 这个 approach 是 那 在
integrating 这 switches, 这 substrates 的 s
3
和 s
4
必须
总是 仍然是 反转-片面的 和 遵守 至 它们的 来源,
但是 不 所以 更 作 至 降级 它们的 在 抵制. 在
增加, 在 电路 开始-向上, 和 下面 输出 短的 电路
情况 (v
输出
= v
+
), 这 输出 电压 必须 是 sensed
和 这 基质 偏差 调整 accordingly. 失败 至
accomplish 这个 将 结果 在 高 电源 losses 和
可能 设备 获得-向上. 这个 问题 是 eliminated 在 这
tc660 用 一个 逻辑 网络 这个 senses 这 输出 电压
(v
输出
) 一起 和 这 水平的 翻译, 和 switches 这
substrates 的 s
3
和 s
4
至 这 准确无误的 水平的 至 维持
需要 反转 偏差.
至 改进 低-电压 运作, 这 “lv” 管脚 应当
是 连接 至 地, disabling 这 内部的 调整器. 为
供应 电压 更好 比 3.0v, 这 lv 终端 应当
是 left 打开 至 确保 获得-向上-proof 运作 和 阻止
设备 损坏.
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