TCDT1122G_集成电路资料查询网

tcdt1120(g) 序列
vishay telefunken
rev. a3, 11–jan–99 229
t
p
t
t
0
0
10%
90%
100%
t
r
t
d
t
在
t
s
t
f
t
止
I
F
I
C
96 11698
t
p
脉冲波 dura-
tion
t
d
延迟 时间
t
r
上升 时间
t
在
(= t
d
+ t
r
) 转变-在 时间
t
s
存储 时间
t
f
下降 时间
t
止
(= t
s
+ t
f
) 转变-止 时间
图示 5.  切换 时间
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
p     – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c)
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 6.  总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i    – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 7.  向前 电流 vs. 向前 电压

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tcdt1120(g) 序列 vishay telefunken rev. a3, 11–jan–99 229 t p t t 0 0 10% 90% 100% t r t d t 在 t s t f t 止 I F I C 96 11698 t p 脉冲波 dura- tion t d 延迟时间 t r 上升时间 t 在 (= t d + t r ) 转变-在时间 t s 存储时间 t f 下降时间 t 止 (= t s + t f ) 转变-止时间图示 5. 切换时间典型特性 (t amb = 25 _ c, 除非否则指定) 0 50 100 150 200 250 300 0 40 80 120 p – 总的电源消耗 ( mw ) T amb – 包围的温度 ( ° c) 96 11700 tot 结合设备 Phototransistor ir-二极管图示 6. 总的电源消耗 vs. 包围的温度 0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 V F – 向前电压 ( v ) 96 11862 F i – 向前电流 ( 毫安 ) 图示 7. 向前电流 vs. 向前电压

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