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文档 号码 83503
rev. a6, 08–sep–99
7 (11)
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 6. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 7. 向前 电流 vs. 向前 电压
–25 0 25 50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
ctr – 相关的 电流 转移 比率
rel
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
95 11025
75
V
CE
=5V
I
F
=5mA
图示 8. 相关的 电流 转移 比率 vs.
包围的 温度
0255075
1
10
100
1000
10000
i – 集电级 dark 电流,
CEO
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
100
95 11026
和 打开 根基 ( na )
V
CE
=20V
I
F
=0
图示 9. 集电级 dark 电流 vs. 包围的 温度
0.1 1 10
0.01
0.1
1
100
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11027
10
V
CE
=5V
图示 10. 集电级 电流 vs. 向前 电流
0.1 1 10
0.1
1
10
100
V
CE
– 集电级 发射级 电压 ( v )
100
95 10985
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
I
F
=50mA
5mA
2mA
1mA
20mA
10mA
图示 11. 集电级 电流 vs. 集电级 发射级 电压
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